性別： 男
學歷： 博士研究生
職稱/職務： 教授
E-mail：txwang@htu.edu.cn
所在研究所/科室： 半導體物理研究所
研究領域：
自旋電子學材料及器件方向，主要從事于二維材料及器件的磁、光、電等特性的第一性原理模擬。
學習經(jīng)歷：
博士研究生，中國科學院物理研究所，磁學國家重點實驗室，2003年9月-2006年7月
訪問學者，愛爾蘭、都柏林、圣三一學院，2005年1月-2005年8月
碩士研究生，河南師范大學物理學院，2000年9月-2003年7月
本科，河南師范大學物理學院，1992年9月-1996年7月
工作經(jīng)歷：
2009年9月至今，河南師范大學物理學院，副教授
2006年9月至2009年7月，韓國，首爾，高麗大學，助理教授
1996年9月至2000年7月，禹州市第一高級中學，物理教師
教學工作：
主講本科生《固體物理》和研究生《計算材料學》課程。
科研工作：
1.國家自然科學基金（NSFC-河南人才培養(yǎng)聯(lián)合基金）No: U1704136, “基于過渡金屬硫化物二維材料的超薄磁性隧道結及相關材料和器件的理論研究”, 2018/01-2020/12、50萬元、已結題、主持。
2.國家自然科學基金項目(NSFC-河南人才培養(yǎng)聯(lián)合基金) No: U1304518, “鐵磁 金屬、半金屬界面輕元素修飾特性及其對磁性隧道結輸運特性影響的自能修正理論研究”, 2014/01-2016/12、30萬元、已結題、主持。
3.河南省高等學校青年骨干教師資助計劃項目No: 01026611010, “銅鋅錫硫太陽能電池, 2013/01-2015/12、3萬元、已結題、主持。
4.河南省基礎與前沿技術研究計劃項目, No: 122300413208 銅鋅錫硫太陽能電池實驗及理論研究, 2012/01-2014/12 35萬元、已結題、主持。
主要論著：
1.Tianxing, Wang*; Chensi, Li; Congxin, Xia; Lizhi, Yin; Yipeng, An; Shuyi, Wei; Xianqi, Dai，“Silicene/BN vdW heterostructure as an ultrafast ion diffusion anode material for Na-ion battery”，Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, , 122: 0-114146，(2020).
2.Tianxing, Wang*; Shuai, Zhang; Lizhi, Yin; Chensi, Li; Congxin, Xia; Yipeng, An; Shuyi, Wei，“Silicene/boron nitride heterostructure for the design of highly efficient anode materials in lithium-ion battery”，Journal of Physics: Condensed Matter, 32(35): 0-355502 (2020).
3. Shuai, Zhang; Tianxing, Wang*; Xianqi, Dai; Chensi, Li; Congxin, Xia; Yipeng, An; Shuyi, Wei，“Magnetic modification of transition-metal-atom–adsorbed blue phosphorus monolayer: A first-principles study”，EPL (Europhysics Letters), 129(4): 0-47003.(2020).
4.Wang, Tianxing*; Zhang, Qian; Li, Jingbo; Xia, Congxin，“2D GeSe/SnS2(SnSe2) broken-gap heterostructures for tunnel field-effect transistors applications”，Journal of Physics D: Applied Physics, 52(45): 0-455103，(2019).
5. Rumeng Zhao, Tianxing Wang*, Mingyu Zhao, Congxin Xia, Yipeng An and Xianqi Dai, “Modulation of the electronic properties and spin polarization of 2H VS2 nanoribbons by tuning ribbon widths and edge decoration” Phys. Chem. Chem. Phys., 18211-18218 (2019).
6.Rumeng Zhao, Tianxing Wang*, Mingyu Zhao, Congxin Xia, Yipeng An, Shuyi Wei, Xianqi Dai, “External electric field and strains facilitated nitrogen dioxide gas sensing properties on 2D monolayer and bilayer SnS2 nanosheets”, App. Surf. Sci., 491, 128-137 (2019).
7.Tianxing Wang? , Lizhi Yin, Rumeng Zhao, Congxin Xia? , Xu Zhao, Yipeng An, Shuyi Wei, Xianqi Dai, “First-principles study of monolayer SnS2(1-x)Se2x alloys as anode materials for lithium ion batterie” App. Surf. Sci., 457, 256-263 (2018).
8.Zhao, Rumeng; Wang, Tianxing*; Zhao, Mingyu; Xia, Congxin; An, Yipeng; Wei, Shuyi; Dai, Xianqi, “A theoretical simulation of small-molecules sensing on an S-vacancy SnS2 monolayer”，Phys. Chem. Chem. Phys., 19, 10470 (2017).
9.Tianxing Wang*，Rumeng Zhao，Mingyu Zhao，Xu Zhao，Yipeng An，Xianqi Dai，Congxin Xia*，“Effects of applied strain and electric field on small-molecule sensing by stanene monolayers”，Journal of Materials Science，52：5083~5096，(2017).
10.T. X. Wang*，Y. Li，C. X. Xia*，X. Zhao，Y. P. An，X. Q. Dai, “Effects of B and N modified interface and applied bias on the magnetoresistance in Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions”，journal of applied physics，0021-8979 (2017).
11.Wang, Tianxing*，Zhao, Rumeng，Zhao, Xu，An, Yipeng，Dai, Xianqi，Xia, Congxin*，“Tunable donor and acceptor impurity states in a WSe2 monolayer by adsorption of common gas molecules”，Rsc Advances, 6(86), 82793-82800, (2016).
12.Wang, Tianxing*，Li, Ying，Xia, Congxin*，Zhao, Xu*，An, Yipeng，Dai, Xianqi，“Magnetic vanadium sulfide monolayers: transition from a semiconductor to a half metal by doping”，Journal of Materials Chemistry C，4（34）：8111~8120, (2016) .
13.Guo, Peng*，Wang, Tianxing，Xia, Congxin，Jia, Yu，“Tuning electronic structure of SnS2 nanosheets by vertical electric field: a first-principles investigation”，Applied Physics A-Materials Science & Processing，122（7）(2016).
14. Zhao, Xu*，Wang, Tianxing*，Wang, Guangtao，Dai, Xianqi，Xia, Congxin(*)，Yang, Lin，“Electronic and magnetic properties of 1T-HfS2 by doping transition-metal atoms”，Applied Surface Science, 383, 151-158, (2016).
15.Tian-Xing Wang*, Yan-Guo Li, Hai-Rui Liu, Hui Li, Si-Xiang Chen, “Flower-like Cu2NiSnS4 nanoparticles synthesized by a facile solvothermal method”, Mater. Lett., 124, 148-150 (2014).
16.T. X. Wang, Y. Li, K. J. Lee, J. U. Cho, D. K. Kim, S. J. Noh, and Y. K. Kim’, “Influence of interface state in Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junction system: C modified interfaces-a first principle study”, J. App. Phys. 109, 083714 (2011)
17.T. X. Wang*, Y. Li, and Y. M. Liu, “The influence of Al content on impurity states in GaN/AlGaN asymmetrically coupled quantum dots” Phys. Status Solidi B 248 (7), 1671–1675 (2011).
18. Ying Li, Tian-Xing Wang, “Magnetic dipolar ordering on geometrically frustrated brick-shaped lattices”, Physica A, 390, 2388-2394, (2011).
19.Tianxing Wang, Zaiping Zeng, Congxin Xia, Shuyi Wei, “Hydrostatic pressure effect on the donor impurity states in asymmetric multiple quantum wells”, Superlatt. Microstruc. 49, 365-372 (2011).
20.Y. Li, T. X. Wang “The role of dipolar interactions for the magnetic properties of ferromagnetic nanoring” J. mag. Mag. Mat. 322, 2773-2776, (2010)
21.Cho, J. U. Kim, D. K. Wang, T. X. Isogami, S. Tsunoda, M. Takahashi, M. Kim, Y. K. “Magnetoresistance Variation of MagneticTunnel Junctions with NiFeSiB/CoFeB Free Layers Depending on MgO Tunnel BarrierThickness,” IEEE 11, 2547-2550 (2008).
22. H.X. Wei, T. X. Wang, H. Wang and X.F. Han M.A. Bari and J.M.D. Coey, “An approach to fabricate pure metallic Ni-Ni and metallic oxide Ni-NiO-Ni nanocontacts by repeatable microfabrication method”, Int. J. Nanotechnology, 4, 21 (2007)
23.T. X. Wang, H. X. Wei, Z. M. Zeng, and X. F. Han, Z. M. Hong and G. Q. Shi,“Magnetic/nonmagnetic/magnetic multilayers based on hybrid organic Langmuir-Blodgett-films”. Appl. Phys. Lett. 88 242505 (2006).
24.T. X. Wang, H. X. Wei, X. F. Han, Cong Ren, E. Clifford, R. M. Langford, M. A. Bari, J. M. D. Coey, “A new method of fabrication for andreev reflection measurement”. Chinese journal of semiconductors. 4, 619 (2006).
25.T. X. Wang, H. X. Wei, X. F. Han, R. M. langford, Martin Thornton, M. A. Bari, J. M. D. Coey, “Spin transport in multi wall Carbon Nanotube with Co electrodes,” Chinese Physics Letter. 23, 2582 (2006).
26. H. X. Wei and T. X. Wang, E. Clifford and R M. Langford, X. F. Han, J. M. D. Coey, “Magnetoresistance nickel nanocontacts fabricated by different methods,” J. Appl. Phys. 99，08C512 (2006).
27. Y. Li, T. X. Wang, H. Y. Liu, X. W. Xu, Z. M. Lu and Y. X. Li, “The study of spin ordering in FM/AFM bilayers with a mixed interface,” Eur. Phys. J. B 66, 369-373 (2008)
28. H. X. Wei, T. X. Wang, Z. M. Zeng, X. Q. Zhang, J. Zhao, X. F. Han, “Controlled fabrication of nano-scale double barrier magnetic tunnel junctions using focused ion beam milling method,” J. Magn. Magn. Matter. 303, e208 (2006).
29. WEI Shu-Yi, WANG Tian-Xing, YANG Zong-Xian, and MA Li, “First-Principles Studies for the Electronic Structures of Diluted Magnetic Semiconductors (Ga, Fe)As,” Commun. Theor. Phys. (Beijing, China) 40, 499 (2003).
30. R. M. Langford, T-X Wang, D. Ozkaya, “Imaging, Analysis and Fabrication on the Nanoscale,” Proceedings of EMAG-NANO 05, University of Leeds, UK 2005.
獎勵和榮譽：
河南省科技成果獎“二維半導體材料的光電磁性質(zhì)調(diào)控” No: 【2020】 135 （8323），2020.05, （二等獎）河南省教育廳
北京市科學技術獎 “納米環(huán)磁性隧道結及新型納米環(huán)隨機存取存儲器的基礎研“No: 2013-電-1-001-14，2014.01, （壹等獎）北京市人民政府
河南省科學技術進步獎“壓敏金屬-高分子復合材料制備及電學性能研究” No: 2011-J-265-R04，2012.01, （三等獎）河南省人民政府
河南省“高等學校青年骨干教師” 2012.05, 河南省教育廳
研究生“科技創(chuàng)新”工作“優(yōu)秀指導教師” 2020.6, 河南師范大學
研究生“科技創(chuàng)新”工作“優(yōu)秀指導教師” 2018.7, 河南師范大學
“三育人”“先進個人” 2017.5, 河南師范大學
研究生“科技創(chuàng)新”工作“優(yōu)秀指導教師” 2014.6, 河南師范大學
研究生“科技創(chuàng)新”工作“優(yōu)秀指導教師” 2012.6, 河南師范大學
“兩創(chuàng)四爭”活動“文明教師” 2012.6, 河南師范大學