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          一種鋁摻雜堿式氟化鈷超薄納米片陣列電極的制作方法

          發(fā)布時間: 2021-05-18     瀏覽次數(shù): 100

          摘要:本發(fā)明公開了一種鋁摻雜堿式氟化鈷超薄納米片陣列電極的制作方法,通過一步水熱反應(yīng)在預(yù)先洗滌處理的泡沫鎳集流體表面沉積鋁摻雜堿式氟化鈷活性層,該活性材料呈現(xiàn)超薄納米片陣列結(jié)構(gòu),能提供快速電子、離子擴(kuò)散傳輸通道,材料中F?離子的引入可調(diào)節(jié)活性材料的晶相,并能提高材料表面極性和親水性,有助于電極和電解質(zhì)的充分接觸,獲得較高電極表面利用率。本發(fā)明所制作的鋁摻雜堿式氟化鈷超薄納米片陣列法拉第電極可借助Al3+和F?離子的雙摻雜有效調(diào)節(jié)活性層的物相,電子離子擴(kuò)散傳輸通道,表面極性和法拉第活性,從而有效提高電極法拉第電容性能。該電極制作方法簡單快捷,電容性能優(yōu)越,可用于組裝高性能超級電容器。



          CN201910522759-一種鋁摻雜堿式氟化鈷超薄納米片陣列電極的制作方法-審定授權(quán).pdf

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