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          學(xué)術(shù)預(yù)告

          原子層沉積氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管及其在2T0C DRAM中的應(yīng)用

          發(fā)布時間:2024-12-12瀏覽次數(shù):10

          丁士進(jìn),男,復(fù)旦大學(xué)特聘教授(二級教授)、博士生導(dǎo)師,任職于復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院,兼任嘉善復(fù)旦研究院副院長。2001 年10月至2004年12月曾先后在德國基爾(Kiel)大學(xué)做洪堡學(xué)者、新加坡國立大學(xué)任研究員(Research Fellow)。2005年3月起,正式加入復(fù)旦大學(xué),被聘為副教授;2008年4月晉升為教授,2016年入選二級教授。曾獲上海市浦江人才計劃、教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計劃、上海市技術(shù)發(fā)明二等獎。作為負(fù)責(zé)人,主持了科技部“863”項目(1項)、國家自然科學(xué)基金項目(6項)、02科技重大專項課題(3項)等縱向科研項目16項。作為發(fā)起人,擔(dān)任了四屆國際原子層沉積應(yīng)用會議主席(2012-2018)、10屆中國原子層沉積會議組委會主席(2011-2023);擔(dān)任美國真空協(xié)會(AVS)第 19-22 屆國際原子層沉積會議程序委員會委員。擔(dān)任中國集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟專家咨詢委員會委員(2023-2027)和華為技術(shù)有限公司技術(shù)顧問。擔(dān)任國家自然科學(xué)獎、科技進(jìn)步獎、國家自然科學(xué)基金委重點(diǎn)研發(fā)計劃、重大項目、面上項目、優(yōu)青、海優(yōu)評審專家。至今已發(fā)表SCI 論文200余篇,包括在電子器件領(lǐng)域頂級期刊 IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices上發(fā)表論文30余篇。獲美國、歐盟、中國授權(quán)發(fā)明專利40余項。